EUV　半導体微細化の最先端技術

ＥＵＶ（極端紫外線）とは半導体の微細化技術で用いられる露光光源の一種で、半導体製造工程のなかで、ＥＵＶ露光装置を用いて回路をチップ上に転写する時に用いられる。従来の露光光源の主流は、ＡｒＦ（フッ化アルゴン）という193nm（ナノメートル、ナノは10億分の1メートル）の光源を用いているが、ＥＵＶ露光の波長は13.5nmと短くなり、その分より微細な加工ができるようになる。現在の最先端半導体の回路線幅は5nmまで進んでいるが、ＥＵＶ露光では理論上は2nmまで細くできるという。線幅が細くなれば情報量を増やすことができ、同じ情報量なら小型化できるようになる。

また、工程の簡略化などによりマルチパターニング（微細なパターンを形成するために複数回の露光を繰り返すこと）などで課題となっていた歩留まりの向上も期待でき、半導体各社はＥＵＶに関する投資を積極化している。

 

現在、ＥＵＶ露光装置を製造しているのは世界でもオランダのＡＳＭＬ社だけだが、ＥＵＶ導入により、光源だけでなく露光手法や使用する部材などが従来とは大きく変化するため、周辺装置や部材メーカーにもビジネスチャンスの拡大が期待できる。波長が極端に短くなるため、従来の露光で用いられていた透過型のフォトマスクではなく、反射型と呼ばれるタイプが必要となるほか、露光用のレンズも反射型となる。半導体感光材料（レジスト）などの薬液もＥＵＶ対応が必要となるほか、マスクの欠陥検査装置も高性能が要求される。

こうしたなか、日本の周辺装置・部材メーカーはＥＵＶ対応が進んでいるものが多い。これらの企業は今後、本格化するＥＵＶ分野にあって競争力を発揮し、関連市場にあって存在感を増しそうだ。
 

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